W związku z logicznym postępem w rozwoju pamięci flash, Samsung właśnie ogłosił, że rozpocznie masową produkcję układów 3D „vertical NAND” (V-NAND). Chociaż znamy Samsunga jako masową firmę zajmującą się elektroniką użytkową, koreański producent ma również lukratywny biznes, produkując wewnętrzne komponenty - takie jak procesory, pamięć flash i wyświetlacze - dla wielu różnych producentów urządzeń.
Wcześniej rozmawialiśmy o przejściu Samsunga (i innych producentów) na mniejszą technologię w celu dopasowania większej ilości pamięci w tym samym obszarze fizycznym do przejścia do procesu produkcyjnego klasy 10 nm, ale jak sama nazwa wskazuje, można się spodziewać ten nowy system 3D NAND idzie o krok dalej. Zamiast trzymać się tradycyjnej „płaskiej” struktury, Samsung buduje teraz układy układające elementy pionowo - do 24 warstw komórek.
Podobnie jak przejście na mniejszą architekturę, przejście na V-NAND ma nieodłączne zalety zarówno pod względem niezawodności, jak i szybkości uzyskiwanych układów. Samsung twierdzi, że te pierwsze układy V-NAND są 2 do 10 razy bardziej niezawodne i mają 2 razy większą wydajność zapisu w porównaniu z istniejącą pamięcią flash klasy 10 nm.
Wraz z rozpoczęciem masowej produkcji, Samsung spodziewa się, że nowe układy scalone będą w niedalekiej przyszłości wytwarzać elektronikę użytkową od komputerowych dysków SSD klasy konsumenckiej po wbudowane pamięci flash.
Źródło: Samsung (BusinessWire)
