Samsung ogłosił, że obecnie masowo produkuje pierwszy na świecie wbudowany moduł 1 Flash Universal Storage Storage 2.1 (eUFS) do telefonów, a czas premiery sugeruje, że układ pamięci może skończyć się w Galaxy S10. Samsung zauważył, że sam moduł ma taki sam rozmiar, jak układ 512 GB znaleziony w Galaxy Note 9.
Samsung jest w stanie to osiągnąć, wykorzystując technologię V-NAND, w której komórki NAND są ułożone pionowo, aby zmaksymalizować gęstość i wydajność. Samsung reklamuje sekwencyjne prędkości odczytu do 1000 Mb / s i prędkości zapisu 260 Mb / s, co powinno umożliwić modułowi pamięci ciągłe nagrywanie wideo nawet przy 960 klatkach na sekundę.
Według wiceprezesa ds. Marketingu pamięci Samsung, Cheola Choi, moduł 1UB eUFS odegra kluczową rolę w „wprowadzeniu wrażeń przypominających notebooki do urządzeń mobilnych nowej generacji”. DJ Koh, mobilny dyrektor generalny Samsunga, powiedział w wywiadzie na początku tego tygodnia, że Galaxy S10 spełni oczekiwania klientów, a oferowanie pamięci wewnętrznej o pojemności 1 TB jest jednym ze sposobów.
